根据具体应用用途对等离子体的刻蚀工艺进行了分类，大致分为以下二种：

第一类：离子刻蚀
也称为“物理刻蚀”、“溅射”或“微喷砂”，其刻蚀采用的工艺气体是氩气或者其他惰性气体，气体本身就不活泼，离子状态下也不会形成任何自由基，更不会发生化学反应，主要是通过离子撞击材料表面所产生的动能将基材中的原子和分子分离出来。
因此离子刻蚀几乎适用于所有的基材（材料），需要对材料表面做结构微化的时候，一般是采用此种方式，也是最基本的刻蚀方式之一。

第二类：化学等离子刻蚀
这类刻蚀所采用的工艺气体，其分子在等离子体中主要分裂为自由基，刻蚀的效果主要基于这些自由基与材料表面的原子或分子之间的反应，以及其到气态分解产物的转化。在半导体加工中去除光刻胶、PTFE材料的刻蚀、半导体的结构化和微结构化的加工工艺中，经常采用化学等离子刻蚀。
除此之外，为了加快刻蚀速度，也会采用化学等离子刻蚀工艺，在对如下这些材料进行刻蚀的时候，有一些关键点需要我们注意。

等离子刻蚀注意事项：http://jszhuoxi.com/news/industry/33.html